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一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711059532.2
IPC分类号：C01B32/984
申请日期：
2017-11-01
申请人：
东北大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法
申请号	CN201711059532.2	申请日期	2017-11-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-02	公开/公告号	CN107651691A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/984 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/90 碳化物〔2017.01〕 C01B32/914 单一元素碳化物〔2017.01〕 C01B32/956 碳化硅〔2017.01〕 C01B32/97 通过 SiO or SiO2制备〔2017.01〕 C01B32/984 通过硅元素制备〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;9;8;4查看分类表>
申请人	东北大学	申请人地址	辽宁省沈阳市浑南区创新路195号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东北大学	当前权利人	东北大学
发明人	邢鹏飞;姜胜南;崔晓华;刘洋;都兴红;高波;李大刚
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	陈玲玉;梅洪玉

摘要

本发明属于二次资源利用的技术领域，涉及一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法。其解决了对晶体硅切割废料处置的问题，其特征是将晶体硅切割废料、碳源和净化剂按比例称料混合、压制球团、干燥、高温冶炼制得SiC结晶块，再破碎、酸洗、干燥制得高品质碳化硅粉。本发明不仅对原料的利用率高，生产成本低，而且生产的碳化硅纯度高、品质好。

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