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等离子体射流装置及等离子体切割系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110286312.3
  • IPC分类号:H05H1/24;B23K10/00
  • 申请日期:
    2021-03-17
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称等离子体射流装置及等离子体切割系统
申请号CN202110286312.3申请日期2021-03-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-02公开/公告号CN113068295A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H05H1/24IPC分类号H;0;5;H;1;/;2;4;;;B;2;3;K;1;0;/;0;0查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人李海龙;吴丹阳;王彬;殷勇;蒙林;师嘉豪
代理机构成都正华专利代理事务所(普通合伙)代理人李蕊
摘要
本发明公开了一种等离子体射流装置及等离子体切割系统,所述等离子体射流装置包括壳体、与所述壳体可拆卸连接的底座,所述底座上设置有注气孔以及多个阴极柱插入孔,所述等离子体射流装置还包括多个阴极柱以及与多个所述阴极柱一一对应的多个子装置,多个所述子装置装设于所述壳体中,多个所述阴极柱通过多个所述阴极柱插入孔插入所述子装置中。本发明所提供地等离子体射流装置,一方面,能够产生足够的射流以满足切割需求;另一方面,能够减少单一射流装置的工作压力,均和能量输出,提高切割效率。

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