集成低压低电容TVS器件及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810204176.3
IPC分类号：H01L27/08;H01L21/822;H01L21/76
申请日期：
2008-12-08
申请人：
上海长园维安微电子有限公司

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专利名称	集成低压低电容TVS器件及其制作方法
申请号	CN200810204176.3	申请日期	2008-12-08
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-09	公开/公告号	CN101527304
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6查看分类表>
申请人	上海长园维安微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区施湾七路1001号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海维安半导体有限公司	当前权利人	上海维安半导体有限公司
发明人	张关保;苏海伟;李星;吴兴农
代理机构	上海东亚专利商标代理有限公司	代理人	董梅

摘要

本发明一种集成低压低电容TVS器件及其制造方法，由低电容二极管和低压TVS管串联构成，二极管通过N+隔离墙和P型埋层与TVS管悬浮隔离，TVS管自上而下依次由N+发射区、P+基区、P-基区、N+埋层和N型衬底构成；二极管自上而下依次由P+基区、P-外延层、N+埋层构成；在N型衬底上设置P型埋层作为N+隔离墙与衬底的隔离层，N+隔离墙与二极管N+埋层相连构成二极管N+隔离区，该N+隔离区通过一跨接金属层与TVS管N+发射区电连接，二极管的P+基区上设金属层。优点是：采用新颖的悬浮隔离，实现低电容二极管和TVS的隔离电隔离，从而实现两种器件的硅工艺集成，集成低压低电容TVS器件产品的保护电压为2.8～5V，电容＜5pF，应用相当广泛。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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