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二维钙钛矿形成用材料、层叠体、元件及晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN201680079184.2
IPC分类号：H01L21/368;H01L29/786
申请日期：
2016-11-16
申请人：
国立大学法人九州大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	二维钙钛矿形成用材料、层叠体、元件及晶体管
申请号	CN201680079184.2	申请日期	2016-11-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-31	公开/公告号	CN108475643A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/368 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/34 具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕 H01L21/36 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕 H01L21/368 应用液体沉积的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	国立大学法人九州大学	申请人地址	日本福冈变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国立大学法人九州大学	当前权利人	国立大学法人九州大学
发明人	松岛敏则;秦川江;安达千波矢
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	张世俊

摘要

本发明的具有排列有卤化铵基的表面的二维钙钛矿形成用材料显示高载流子迁移率。该二维钙钛矿形成用材料包含在分子结构的末端具有卤化铵基的单分子膜，优选在表面排列有该单分子膜的卤化铵基。

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