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非制冷红外焦平面探测器光学窗口的湿法腐蚀方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910600516.2
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/0232
  • 申请日期:
    2019-07-04
  • 申请人:
    云南师范大学
著录项信息
专利名称非制冷红外焦平面探测器光学窗口的湿法腐蚀方法
申请号CN201910600516.2申请日期2019-07-04
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-11-08公开/公告号CN110429158A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;2查看分类表>
申请人云南师范大学申请人地址
云南省昆明市呈贡区雨花片区1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人云南师范大学当前权利人云南师范大学
发明人郭杰;吴鹏;袁俊;李志华;黎秉哲;宋欣波;杨善亮;李应刚
代理机构南京苏创专利代理事务所(普通合伙)代理人高丽
摘要
本发明公开了一种非制冷红外焦平面探测器光学窗口的湿法腐蚀方法,包括:以等离子体化学气相沉积法在硅片衬底两面生长二氧化硅介质层;采用直流磁控溅射方法在介质层上依次沉积铬、金形成金属层;通过光刻法在衬底第一底面金属层上形成一次图形的光刻胶层;采用离子束刻蚀方法刻蚀光刻胶掩膜之外衬底第一底面的金属层;腐蚀光刻胶掩膜之外衬底第一底面的二氧化硅层;去除光刻胶层;以剩余的介质层和金属层作为掩膜保护层,腐蚀硅片形成腐蚀深度大于100μm的光学窗口腔体;以及去除掩膜保护层,得到图形化的光学窗口。本发明通过以介质层和金属层为掩膜保护层,在不增加成本、不改变湿法腐蚀液的前提下,达到了选择性湿法腐蚀光学窗口的目的。

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