一种发光二极管的外延片及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201811428423.8
IPC分类号：H01L33/14;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00
申请日期：
2018-11-27
申请人：
华灿光电（浙江）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种发光二极管的外延片及其制备方法
申请号	CN201811428423.8	申请日期	2018-11-27
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-19	公开/公告号	CN109360879A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/14 具有一个载流子传输控制结构，例如高掺杂半导体层或电流阻断结构〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华灿光电（浙江）有限公司	申请人地址	浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华灿光电（浙江）有限公司	当前权利人	华灿光电（浙江）有限公司
发明人	丁杰;秦双娇;胡任浩;周飚;胡加辉
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	徐立

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。N型GaN层与多量子阱层之间插入了AlInGaN层，AlInGaN层较高的势垒可以起到阻挡电子的作用，减慢电子的迁移速率，给空穴一定的迁移时间，使得空穴在深入多量子阱层之后，才会与电子相遇并复合，多量子阱中的空穴的浓度提高，多量子阱层中能够与电子进行复合的空穴数量增多，发光二极管的发光效率提高。并且AlInGaN层与N型GaN之间形成压应力，AlInGaN层与型GaN之间形成的压应力会减小多量子阱层生长时产生的压电极化，减小多量子阱内的内建电场，有利于空穴的注入，提高了LED的发光效率。

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