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电阻式非易失性存储器装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410315518.4
  • IPC分类号:H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56
  • 申请日期:
    2014-07-03
  • 申请人:
    华邦电子股份有限公司
著录项信息
专利名称电阻式非易失性存储器装置及其制造方法
申请号CN201410315518.4申请日期2014-07-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-01-27公开/公告号CN105280811A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6查看分类表>
申请人华邦电子股份有限公司申请人地址
中国台湾台中市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华邦电子股份有限公司当前权利人华邦电子股份有限公司
发明人吴伯伦;林孟弘;沈鼎瀛
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人汤在彦
摘要
本发明提供了一种电阻式非易失性存储器装置及其制造方法。上述电阻式非易失性存储器装置包括一第一电极;一第二电极,设置于上述第一电极上;一电阻转态层,设置于上述第一电极和上述第二电极之间,其中上述电阻转态层包括一第一区域,具有一第一氮原子浓度;一第二区域,相邻于上述第一区域,其中第二区域具有不同于上述第一氮原子浓度的一第二氮原子浓度。本发明能够提升电阻式非易失性存储器装置的可靠度。

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