氮化物半导体基板的制造方法和氮化物半导体基板

发明专利有效专利

申请号：
CN201980081552.0
IPC分类号：C30B29/38;C23C16/01;C23C16/34;C30B25/02;H01L21/205
申请日期：
2019-11-29
申请人：
赛奥科思有限公司;住友化学株式会社

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专利名称	氮化物半导体基板的制造方法和氮化物半导体基板
申请号	CN201980081552.0	申请日期	2019-11-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-23	公开/公告号	CN113166971A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/38 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/38 氮化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;C;2;3;C;1;6;/;0;1;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人	赛奥科思有限公司;住友化学株式会社	申请人地址	日本茨城县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	赛奥科思有限公司,住友化学株式会社	当前权利人	赛奥科思有限公司,住友化学株式会社
发明人	吉田丈洋
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用了气相外延法，所述制造方法具有如下工序：准备基底基板的工序，所述基底基板由与III族氮化物半导体的单晶不同的材料形成；使基底层在基底基板的上方生长的工序；第一工序，使具有露出(0001)面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底层的基底面上直接外延生长，使顶面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底层的基底面的上方去而缓缓扩大，使(0001)面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长，在第一工序中，使单晶以(0001)面作为生长面并以规定的厚度生长后，使该单晶的顶面产生多个凹部。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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