阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板

发明专利有效专利

申请号：
CN202110932269.3
IPC分类号：H01L27/12;H01L49/02;H01L21/77;G02F1/1362
申请日期：
2021-08-13
申请人：
TCL华星光电技术有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
申请号	CN202110932269.3	申请日期	2021-08-13
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-23	公开/公告号	CN113690253A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;4;9;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人	TCL华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL华星光电技术有限公司	当前权利人	TCL华星光电技术有限公司
发明人	李子然
代理机构	深圳紫藤知识产权代理有限公司	代理人	杨瑞

摘要

本申请实施例公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板。阵列基板包括基底和设于基底上的薄膜晶体管，以及与薄膜晶体管电连接的存储电容，存储电容包括第一电容电极和第二电容电极，第二电容电极位于第一电容电极远离基底的一侧；其中，第一电容电极远离基底一侧的表面包括交替设置的第一凸起部和第一凹陷部，第二电容电极包括交替设置第二凸起部和第二凹陷部，第二凸起部与第一凸起部对应，第二凹陷部与第一凹陷部对应。阵列基板具有结构简单、制作工艺简化的效果，同时具有减小存储电容两电极所占据的面积，增大了显示区的面积，从而提升了透过率的有益效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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