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Ag/硅复合结构紫外光探测器及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910028977.3
  • IPC分类号:H01L31/00;H01L31/0224
  • 申请日期:
    2009-02-03
  • 申请人:
    苏州大学
著录项信息
专利名称Ag/硅复合结构紫外光探测器及其制备方法
申请号CN200910028977.3申请日期2009-02-03
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2009-07-15公开/公告号CN101483198
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/00IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;0;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人苏州大学申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州大学当前权利人苏州大学
发明人苏晓东;沈明荣
代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司代理人陶海锋
摘要
本发明公开了一种Ag/硅复合结构紫外光探测器,从上至下依次为Ag薄膜层、单晶硅基片和欧姆接触金属电极;所述Ag薄膜层的厚度为20~80nm;所述单晶硅基片的厚度为100~300um;所述欧姆接触金属电极为Au、Pt或Al电极,且为平面接触,厚度为100~500nm;所述Ag薄膜层和单晶硅基片的接触面为抛光面。本发明还公开了上述紫外光探测器的制备方法。本发明将Ag薄膜的光学特性结合到Si的单晶基片上来实现紫外光的光电响应,得到了一种新型的Ag/Si复合结构的紫外光探测器,为紫外光探测技术的发展做出了贡献。

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