一种微型热导检测器集成芯片及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110082184.7
IPC分类号：B81B7/02G01N30/66B81C1/00
申请日期：
2011-04-01
申请人：
中国科学院电子学研究所

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著录项信息

专利名称	一种微型热导检测器集成芯片及制造方法
申请号	CN201110082184.7	申请日期	2011-04-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-17	公开/公告号	CN102730622A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B81B7/02;G01N30/66;B81C1/00查看分类表>
申请人	中国科学院电子学研究所	申请人地址	北京市海淀区北四环西路*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电子学研究所	当前权利人	中国科学院电子学研究所
发明人	崔大付;孙建海;张璐璐;陈兴;蔡浩原;任艳飞;李辉
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种微型热导检测器集成芯片及制造方法，该芯片包括硅和玻璃基底、微型热敏电阻、微型热导池、微型沟道以及微型温度传感器。首先在硅基底和玻璃基底上分别形成微型沟道和微型热导池，并在微型热导池中形成悬空的氧化硅-氮化硅-扩散硅三层或氧化硅-氮化硅双层结构支撑梁，再利用Pt或PTC或NTC等热敏材料在支撑梁的上表面形成微型热导检测器及微型温度传感器的热敏电阻，然后在玻璃基底上微型沟道两端形成气体进样、出样接口，再通过键合工艺将硅基底和玻璃基底对准键合密封，得到微型热导检测器集成芯片。本发明用于潜艇有害气体、矿井瓦斯、家居安全、大气质量监测、毒品检测、癌症诊断领域中的有害气体检测。

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发明授权

一种微型热导检测器集成芯片及制造方法

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