在氧化生长侧壁衬层之前淀积沟槽填充氧化物的改进的沟槽隔离工艺

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专利名称	在氧化生长侧壁衬层之前淀积沟槽填充氧化物的改进的沟槽隔离工艺
申请号	CN00807742.8	申请日期	2000-03-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-05-29	公开/公告号	CN1351762
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	硅谷集团热系统责任有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	硅谷集团热系统责任有限公司	当前权利人	硅谷集团热系统责任有限公司
发明人	托德·O·科蒂斯;维沃克·拉奥;卡里姆·卡普金
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

本发明一般涉及到制造半导体器件、晶片等用的沟槽隔离方法。更确切地讲，本发明涉及到用TEOS和臭氧的化学汽相淀积(CVD)法，在沟槽侧壁上生长热氧化层或衬层之前，淀积沟槽填充氧化物的方法。此方法在非垂直、垂直和/或凹腔剖面的间隙或沟槽中提供了无孔淀积的介电CVD膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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