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一种Ge基双通道整流场效应晶体管及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202210824661.0
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2022-07-13
  • 申请人:
    四川大学
著录项信息
专利名称一种Ge基双通道整流场效应晶体管及制备方法
申请号CN202210824661.0申请日期2022-07-13
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-10-11公开/公告号CN115172462A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人四川大学申请人地址
四川省成都市一环路南一段24号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人四川大学当前权利人四川大学
发明人王策;宋建军;毕思涵
代理机构成都其知创新专利代理事务所(普通合伙)代理人王沙沙
摘要
本发明公开了一种Ge基双通道整流场效应晶体管及制备方法,包括衬底,衬底上表面设置有栅氧化层;栅氧化层上设置有栅极;衬底上源端一侧设置有金属层,漏端一侧设置有漏区;栅极外表面设置有介质层;源端和漏端均设置有电极;电极、介质层外表面设置有保护层;本发明源端为肖特基接触,漏端为标准p+掺杂的Ge基p型单端肖特基势垒场效应晶体管,载流子在输运时无需再翻越漏端肖特基势垒,在保持了双通道宽范围整流优势的同时增大了沟道电流,提高了整流效率。

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