全抛釉瓷片及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210242192.8
IPC分类号：C04B41/86
申请日期：
2012-07-13
申请人：
佛山市科捷制釉有限公司

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著录项信息

专利名称	全抛釉瓷片及其制备方法
申请号	CN201210242192.8	申请日期	2012-07-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-17	公开/公告号	CN102731169A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B41/86 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B41/00 砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理（冷釉料之外的釉料入C03C 8/00）〔3〕 C04B41/80 仅对陶瓷的〔4〕 C04B41/81 涂覆或浸渍〔4〕 C04B41/85 用无机材料〔4〕 C04B41/86 釉料；冷釉料〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;4;1;/;8;6查看分类表>
申请人	佛山市科捷制釉有限公司	申请人地址	广东省佛山市港口路高新区4号综合楼三楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佛山市科捷制釉有限公司	当前权利人	佛山市科捷制釉有限公司
发明人	詹长春;柯美云;赵达峰;陈宗玲
代理机构	广州三辰专利事务所	代理人	吴清瑕

摘要

本发明公开了一种全抛釉瓷片及其制备方法。全抛釉瓷片包括坯体层、底釉层、面釉层、花釉层，在花釉层上表面设有全抛釉层，所述全抛釉层按重量百分比包括全抛釉熔块64%~71%，生料0~7%，水25~32%，助料0.1~0.5%，其中全抛釉熔块所用原料为：钾长石、方解石、烧滑石、氧化锌、硼酸、碳酸钡、氧化铝、石英，生料为气刀土或高岭土。本发明用于瓷片装饰，得到的瓷片的釉面效果好，釉层透明度高，抛后光亮，平整度高，更能体现釉下图案分明的纹理层次、质感丰富，且砖形变形小、抗热震性好，镜面效果高，通透质感强。

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