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一种SiC衬底GaN基LED的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310520085.1
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2013-10-29
  • 申请人:
    路旺培
著录项信息
专利名称一种SiC衬底GaN基LED的制备方法
申请号CN201310520085.1申请日期2013-10-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-02-26公开/公告号CN103606603A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人路旺培申请人地址
广西壮族自治区桂林市临桂县临桂镇金水湾境界155号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人路旺培当前权利人路旺培
发明人路旺培
代理机构北京轻创知识产权代理有限公司代理人陈月福
摘要
本发明涉及一种SiC衬底GaN基LED的制备方法,包括以下步骤:第一步:一次光刻,定义出芯片P区、N区;第二步:使用感应耦合等离子体刻烛机蚀刻掉N区外延层;第三步:使用电子束蒸发台在外延片上蒸镀ITO透明导电薄膜;第四步:二次光刻;第五步:对ITO进行500度的退火;第六步:三次光刻;第七步:蒸镀Cr/Au金属电极;第八步:制作Si02钝化膜;第九步:四次光刻;第十步:Wafer测试;第十一步:SiC衬底减薄,芯片切割;该方法能够在非掺杂的SiC衬底,载流子浓度约为l×1017cm-3的环境下,制造够适合制作而TIP(倒金字塔形状)的SiC衬底的GaN基LED芯片,能够充分发挥SiC在LED芯片中的功能。

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