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金属氧化物半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610030629.6
  • IPC分类号:H01L29/78H01L29/423H01L21/336H01L21/28
  • 申请日期:
    2006-08-31
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称金属氧化物半导体器件及其制造方法
申请号CN200610030629.6申请日期2006-08-31
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-03-05公开/公告号CN101136433
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
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权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人李煜;何学缅;叶好华
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人逯长明
摘要
一种金属氧化物半导体器件,包括:半导体衬底;形成于所述半导体衬底中的源极和漏极;形成于所述半导体衬底上的栅极;形成于所述栅极两侧、具有沿栅极纵向应力的应力膜。该金属氧化物半导体器件能够改变或改善导电沟道中沿栅极纵向载流子分布情况。

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