一种高效高压垂直通孔键合式LED芯片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201020633645.6
IPC分类号：H01L33/64;H01L33/46;H01L33/38;H01L27/15
申请日期：
2010-11-29
申请人：
上海蓝宝光电材料有限公司

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著录项信息

专利名称	一种高效高压垂直通孔键合式LED芯片
申请号	CN201020633645.6	申请日期	2010-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/64 热吸收或冷却元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5查看分类表>
申请人	上海蓝宝光电材料有限公司	申请人地址	上海市松江区文俊路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海蓝宝光电材料有限公司	当前权利人	上海蓝宝光电材料有限公司
发明人	钟伟荣;蔡凤萍;李刚
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型提供一种高效高压垂直通孔键合式LED芯片的结构，该结构包含至少一芯片和一底板，所述芯片包括衬底和生长在一衬底表面的发光外延层，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；在所述衬底的第二表面形成一反射层，在该衬底第二表面形成的反射层上晶圆键合一散热性良好的底板；以及在所述第一表面上形成发光外延层，其中从所述发光外延层发射的光包括远离所述衬底方向传播的光以及向着所述衬底方向传播的光，向着所述衬底方向传播的光至少部分地透过所述衬底后被所述反射层反射。该发光外延层的至少一个电极透过通孔和底板相连接。

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