一种硅纳米线的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610053849.0
IPC分类号：B81C1/00;B82B3/00
申请日期：
2006-10-17
申请人：
浙江大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种硅纳米线的制作方法
申请号	CN200610053849.0	申请日期	2006-10-17
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-09	公开/公告号	CN1958436
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;2;B;3;/;0;0查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区浙大路38号浙大信息学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	王慧泉;金仲和;郑阳明;王跃林;李铁
代理机构	杭州中成专利事务所有限公司	代理人	陈祯祥

摘要

本发明涉及一种硅纳米线的制作方法。主要利用氢氟酸或含氢氟酸水溶液对掺杂形成p－n结结构n型硅的选择性腐蚀实现两维尺寸可精确控制的硅纳米线的工艺简单、可靠及批量制作。利用该方法制作硅纳米线，通过改变设计参数及腐蚀时间，可以制作两维尺寸10纳米左右的硅纳米线；通过图形设计，可以制作出多种以硅纳米线为基础的纳机电器件。使用本发明制作的硅纳米线，可以研究低维半导体材料的力学、电学等特性；制作多种纳机电器件，应用前景广阔。本发明工艺简单，制作成本低，并可批量生产。

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