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具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410657689.5
  • IPC分类号:B01L3/00G01N21/65
  • 申请日期:
    2014-11-18
  • 申请人:
    太原理工大学
著录项信息
专利名称具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片的制作方法
申请号CN201410657689.5申请日期2014-11-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-08公开/公告号CN104492509A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01L3/00IPC分类号B01L3/00;G01N21/65查看分类表>
申请人太原理工大学申请人地址
山西省太原市万柏林区迎泽西大街*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人太原理工大学当前权利人太原理工大学
发明人冀健龙;乔畅;李朋伟;桑胜波;张文栋
代理机构太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)代理人冷锦超;吴立
摘要
本发明涉及具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片及其制作方法;解决的技术问题为:提供一种具有较高SERS活性、且可直接在微流道内制备纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片及其制作方法;采用的技术方案为:具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片,芯片上设有至少一条微流道,微流道的一端设有至少一个样品池,各样品池均与微流道相连通但彼此之间不相连通,微流道的另一端设有至少一个废液池,各废液池均与微流道相连通但彼此之间不相连通,微流道上设有至少一个生长池,微流道均从每个生长池中穿过,生长池内设有至少一对具有尖端的第一电极,每一对中的两个第一电极距离最近的尖端上均具有贵金属的纳米枝晶结构;本发明适用于微流控芯片的技术领域。

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