多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610837752.2
IPC分类号：C23C16/44;C23C16/30
申请日期：
2016-09-21
申请人：
见嘉环境科技（苏州）有限公司

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专利名称	多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法
申请号	CN201610837752.2	申请日期	2016-09-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-22	公开/公告号	CN106521455A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/44 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0查看分类表>
申请人	见嘉环境科技（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市昆山市张浦镇建德路405号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	见嘉环境科技（苏州）有限公司	当前权利人	见嘉环境科技（苏州）有限公司
发明人	张玉龙;黄理志
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	王健

摘要

本发明涉及多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法，是以三维石墨烯泡沫，多孔碳泡沫，或者多孔金属泡沫为导电基体，通过化学气相沉淀的方法在所述导电基体表面生长出单层石墨烯包裹的铜纳米粒子。本发明的利用单层石墨烯包覆铜纳米粒子，保持铜纳米粒子的反应活性，与此同时利用单层石墨烯的单原子厚度，使电子穿透单层石墨烯于污染物反应成为可能；铜纳米粒子粒径在5到50纳米之间，使得表面铜原子不饱和键增多，进一步提高反应效率；同时本发明采用了原子态的铜原子做为反应前驱体，使原子级别的催化剂设计成为可能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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