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多层构造半导体微型组件及制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510129533.0
IPC分类号：H01L25/00;H01L23/498
申请日期：
2005-12-06
申请人：
松下电器产业株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多层构造半导体微型组件及制造方法
申请号	CN200510129533.0	申请日期	2005-12-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-08-02	公开/公告号	CN1812088
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下电器产业株式会社	当前权利人	松下电器产业株式会社
发明人	川端毅;佐藤元昭;福田敏行;津田俊雄;登一博;中谷诚一
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

提供抑制了弯曲发生的多层构造式半导体微型组件及其制造方法。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的，粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件形成多层构造半导体微型组件，树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。

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