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一种硫化镉薄膜制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910223960.3
  • IPC分类号:C03C17/22
  • 申请日期:
    2009-11-20
  • 申请人:
    正峰新能源股份有限公司
著录项信息
专利名称一种硫化镉薄膜制作方法
申请号CN200910223960.3申请日期2009-11-20
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-05-25公开/公告号CN102070304A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C17/22IPC分类号C;0;3;C;1;7;/;2;2查看分类表>
申请人正峰新能源股份有限公司申请人地址
中国台湾桃园县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人正峰新能源股份有限公司当前权利人正峰新能源股份有限公司
发明人陈文仁
代理机构北京华夏博通专利事务所代理人刘俊
摘要
本发明公开了一种硫化镉薄膜制作方法,利用化学水浴沉积法形成硫化镉薄膜,该化学浴包括含硫化合物与含镉化合物,藉氨水调节化学浴成碱性,并添加缓冲盐,同时搅拌并加热,再将玻璃基板浸泡至化学浴中,使得浸泡时间增加时,硫化镉薄膜厚度的增加不会形成双重结构,藉以强化硫化镉薄膜对玻璃基板的附着力,提高硫化镉薄膜的品质。

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