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发光二极管封装件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310150850.5
  • IPC分类号:H01L25/075;H01L33/62;H01L33/56;H01L33/00
  • 申请日期:
    2013-04-26
  • 申请人:
    光明半导体(天津)有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管封装件及其制造方法
申请号CN201310150850.5申请日期2013-04-26
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-10-29公开/公告号CN104124237A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/075IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;5;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人光明半导体(天津)有限公司申请人地址
天津市津南区津南经济开发区聚英路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人光明半导体(天津)有限公司当前权利人光明半导体(天津)有限公司
发明人曹雯
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人张云珠;韩明花
摘要
本发明公开一种发光二极管封装件及其制造方法。根据本发明实施例的发光二极管封装件包括:相互分开的第一引线框架和第二引线框架;倒装接合于所述第一引线框架和第二引线框架的发光二极管芯片;粘贴于所述第一引线框架和第二引线框架,以支撑所述第一引线框架和第二引线框架,且具有使所述发光二极管芯片的上部区域露出的开口部的封装件主体。而且,所述发光二极管芯片的至少一个侧面紧贴于所述封装件主体。据此,可提供能够实现小型化的发光二极管封装件。

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