一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202110351170.4
IPC分类号：H01L27/092;H01L21/8238
申请日期：
2021-03-31
申请人：
中国科学院微电子研究所

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专利名称	一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件
申请号	CN202110351170.4	申请日期	2021-03-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-03	公开/公告号	CN113206091A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/092 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕 H01L27/092 互补MIS场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	高建峰;刘卫兵;项金娟;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰
代理机构	北京辰权知识产权代理有限公司	代理人	佟林松

摘要

本发明涉及一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件，二维半导体场效应管从下至上依次包括：绝缘衬底区、导电沟道区、栅极区；其中，导电沟道区包括源、漏极、第一绝缘介质层、二维半导体层，第一绝缘介质层位于源、漏极之间，二维半导体层两端与源、漏极电连接形成源、漏端；栅极区包括高K介电层、金属栅和第二绝缘介质层，金属栅和第二绝缘介质层位于高K介电层上，第二绝缘介质层中包括多个通孔，通孔中的电极引线电连接二维半导体层的源、漏端、金属栅，本发明还相应公开了二维半导体场效应管的制备工艺。本发明适用于碳纳米管以及新型二维材料等没办法通过自对准形成源漏接触的工艺；制备工艺流程简单，在沉积二维半导体层前，形成源漏互连层图形，减少了二维材料沉积后形成源漏接触时的损伤，有利于提高器件的性能和良率。

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