气体阻隔性膜的卷体和气体阻隔性膜的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201380074861.8
IPC分类号：C23C16/54;C23C14/02;C23C14/56;C23C16/02;C23C16/50
申请日期：
2013-03-21
申请人：
柯尼卡美能达株式会社

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专利名称	气体阻隔性膜的卷体和气体阻隔性膜的制造方法
申请号	CN201380074861.8	申请日期	2013-03-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-09	公开/公告号	CN105143509A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/54 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/54 连续镀覆的专用设备〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6;;;C;2;3;C;1;6;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0查看分类表>
申请人	柯尼卡美能达株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	柯尼卡美能达株式会社	当前权利人	柯尼卡美能达株式会社
发明人	森孝博
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	苗堃;赵曦

摘要

本发明的目的是提供具有高的气体阻隔性、且具有良好的平面性的气体阻隔性膜。本发明是具有基材和气体阻隔性层的气体阻隔性膜的卷体，气体阻隔性层含有硅原子、氧原子和碳原子，将从气体阻隔性层的表面起的距离设为X值，将碳原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计量的比率设为Y值的碳分布曲线具有极大值和极小值，基材的与配置有气体阻隔性层的一侧为相反侧的面具有500～10000个/mm2的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0～500个/mm2的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B，并且基材的按照JISK‑7136测定而得的雾度为1％以下，气体阻隔性膜在特定条件下测定的平面性指标在0～5的范围。

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