平面化腐蚀半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN98103051.3
IPC分类号：--
申请日期：
1998-07-21
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	平面化腐蚀半导体器件的方法
申请号	CN98103051.3	申请日期	1998-07-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-09-15	公开/公告号	CN1228609
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	朴桂仙;金贤洙
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	谢丽娜

摘要

本发明公开了一种平面化腐蚀半导体器件以使微痕发生频率最小化的方法，其中制备老化至少两小时的悬浮液以平面化腐蚀形成在半导体衬底上的层。在老化期间较重的悬浮颗粒聚集在容器的下部。除了重颗粒之外，容器上部的悬浮液可用于平面化腐蚀层。根据制造半导体器件的这种方法，至少老化悬浮液两个小时，由此在平面化腐蚀工艺期间使较重悬浮颗粒的微痕发生频率最小化，并且悬浮液的质量几乎不影响平面化腐蚀工艺。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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