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CMOS图像传感器的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910198568.8
  • IPC分类号:H01L21/82;H01L27/146
  • 申请日期:
    2009-11-10
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称CMOS图像传感器的制作方法
申请号CN200910198568.8申请日期2009-11-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-05-11公开/公告号CN102054771A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/82
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人邹立;罗飞
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
一种CMOS图像传感器,包括用于形成MOS晶体管的区域和用于形成发光二极管的区域的半导体衬底;在用于形成MOS晶体管的区域上形成栅极结构;在用于形成发光二极管的区域上形成不连续分布的第一氧化层;在半导体衬底以及第一氧化层上形成第二氧化层,并在第二氧化层上形成暴露出发光二极管区域的第一光刻胶图案层;以所述的第一光刻胶图案层为掩膜,进行第一离子注入,形成与半导体衬底掺杂类型相反的第一掺杂区域;去除所述第一光刻胶图案层,并在所述的栅极结构侧壁形成覆盖第二氧化层的侧墙;在第一掺杂区域上形成与其掺杂类型相反的覆盖层。所述方法增大了CMOS图像传感器光电二极管的电容值。

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