压力传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510770539.X
IPC分类号：B81C1/00;B81B3/00;G01L9/12
申请日期：
2015-11-12
申请人：
上海丽恒光微电子科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	压力传感器及其制备方法
申请号	CN201510770539.X	申请日期	2015-11-12
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-05-24	公开/公告号	CN106698328A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;3;/;0;0;;;G;0;1;L;9;/;1;2查看分类表>
申请人	上海丽恒光微电子科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海丽恒光微电子科技有限公司	当前权利人	上海丽恒光微电子科技有限公司
发明人	刘孟彬;毛剑宏
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李时云

摘要

本发明揭示了一种压力传感器及其制备方法，所述压力传感器，包括参考电容和感应电容，所述参考电容和所述感应电容在所述半导体基板上阵列分布；在所述参考电容的位置，所述压力感应层包括顶壁、底壁、侧壁及插塞结构，所述顶壁、底壁、侧壁和半导体基板围成一空腔，所述空腔的顶壁和所述底部接触电极相对；所述插塞结构位于所述空腔内，支撑在所述半导体基板和压力感应层的顶壁之间，所述每一个所述参考电容和所述感应电容的压力感应层的顶壁上包括具有环状沟槽的保护层，与现有技术相比，新的参考电容结构既避免了参考电容和感应电容在感应窗口的结构差异，又通过在参考电容感应窗口下面做个支撑结构，避免参考电容对外界气压响应，进一步的提高了器件的性能。

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