应用于PSM高压电源的高频变换器及PSM高压电源

发明专利有效专利

申请号：
CN202011352522.X
IPC分类号：H02M7/217;H02M7/483;H02M7/5387;H02M1/44
申请日期：
2020-11-26
申请人：
核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司

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著录项信息

专利名称	应用于PSM高压电源的高频变换器及PSM高压电源
申请号	CN202011352522.X	申请日期	2020-11-26
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-03-19	公开/公告号	CN112532082A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M7/217 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M7/00 交流功率输入变换为直流功率输出；直流功率输入变换为交流功率输出 H02M7/02 不可逆的交流功率输入变换为直流功率输出 H02M7/04 用静态变换器的 H02M7/12 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的 H02M7/21 利用需要连续应用控制信号的三极管或晶体管器件的〔2，4〕 H02M7/217 仅用半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;2;M;7;/;2;1;7;;;H;0;2;M;7;/;4;8;3;;;H;0;2;M;7;/;5;3;8;7;;;H;0;2;M;1;/;4;4查看分类表>
申请人	核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司	申请人地址	四川省成都市双流区西航港街道黄荆路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	核工业西南物理研究院,成都同创材料表面科技有限公司	当前权利人	核工业西南物理研究院,成都同创材料表面科技有限公司
发明人	贺岩斌;姜亚南;陈常;熊涛;魏于苹;蒲世豪
代理机构	成都行之专利代理事务所（普通合伙）	代理人	林菲菲

摘要

本发明公开了一种应用于PSM高压电源的高频变换器及PSM高压电源。PSM高压电源的主电路由模块化的高频变换器、高压高频变压器、PSM模块组构成。该高频变换器由三相EMI滤波器电路、可控整流电路、软开关逆变器电路和控制电路组成；通过多个高频变换器共同实现数百千瓦平均功率架构，为PSM高压电源提供前级供能。本发明提出的高频变换器具有体积小、模块化、成本低、性能稳定、制造简易、维修方便等优点。多个高压高频变压器实现不同电位的绝缘隔离。多个PSM模块组通过电位叠加实现高压输出。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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