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化学气相沉积装置与基片处理方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510083853.0
  • IPC分类号:C23C16/44;H01L21/67
  • 申请日期:
    2015-02-16
  • 申请人:
    中微半导体设备(上海)有限公司
著录项信息
专利名称化学气相沉积装置与基片处理方法
申请号CN201510083853.0申请日期2015-02-16
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2016-10-05公开/公告号CN105986242A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/44IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人中微半导体设备(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司当前权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司
发明人姜银鑫;杜志游
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁
摘要
本发明提供化学气相沉积装置与基片处理方法。其中的化学气相沉积装置,包括:具有内部空间的反应室;与所述反应室的所述内部空间连通的进气装置,用于允许处理气体进入;具有排气通道的排气装置;可上下移动的清洁元件,所述清洁元件包括设置于排气装置上方的支持部以及位于支持部与排气装置之间的清洁部;弹性元件,位于支持部与排气装置之间。利用上述装置或方法,可较简便地对排气装置的排气通道进行清洁,进而保证沉积的均匀性。

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