一种多孔结构铜纳米线阵列的制备方法及其薄膜电导率的测试方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310361520.0
IPC分类号：C23C14/14;C23C14/35;G01R27/02
申请日期：
2013-08-19
申请人：
南京清航新材料科技有限公司

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专利名称	一种多孔结构铜纳米线阵列的制备方法及其薄膜电导率的测试方法
申请号	CN201310361520.0	申请日期	2013-08-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-15	公开/公告号	CN103510048A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/14 金属材料、硼或硅〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;1;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;G;0;1;R;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人	南京清航新材料科技有限公司	申请人地址	浙江省杭州市滨江区长河街道江虹路768号1号楼第1204室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州知创新材料技术有限公司	当前权利人	杭州知创新材料技术有限公司
发明人	邓元;曹丽莉;谭明;祝薇;叶慧红;崔长伟
代理机构	南京知识律师事务所	代理人	黄嘉栋

摘要

本发明提供一种铜纳米线阵列的常温制备方法，它是在磁控溅射仪中，将铜靶材放入磁控溅射仪的真空室中的直流台上；把基板放置于样品台2上；调节样品台2与直流台1的距离至50‑90mm；对真空室抽真空，从而使真空室内的真空度达到2.0×10‑4‑4.0×10‑4Pa；在室温条件下，向真空室中充入氩气，并将氩气压强调节至1.0‑2.0Pa；施加直流电压于紧接靶材的阴极和紧接基板后的阳极间（即直流电压）,使电流为80‑120mA，电压为0.25‑0.35kV；沉积1‑7小时，关闭直流电源，原位退火20min，自然冷却至室温25℃后，制得有铜纳米线阵列薄膜的氮化铝、石英或铜基板。本发明中所得到的铜纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布，整个沉积工艺过程简单，成本低廉，易于规模化生产。

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