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一种高频DRAM的上升沿触发脉冲生成器及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911320674.9
  • IPC分类号:H03K3/64
  • 申请日期:
    2019-12-19
  • 申请人:
    西安紫光国芯半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种高频DRAM的上升沿触发脉冲生成器及方法
申请号CN201911320674.9申请日期2019-12-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-04-14公开/公告号CN111010148A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03K3/64IPC分类号H;0;3;K;3;/;6;4查看分类表>
申请人西安紫光国芯半导体有限公司申请人地址
陕西省西安市高新区高新六路38号A座4层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安紫光国芯半导体有限公司当前权利人西安紫光国芯半导体有限公司
发明人马军亮
代理机构西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张倩
摘要
本发明提出一种高频DRAM的上升沿触发脉冲生成方法及电路,相邻的相差90度相位的次级时钟的上升沿触发形成脉冲信号进行数据传输。所述电路,包括四个并列的脉冲生成模块:脉冲生成模块:将两个相差90度相位的次级时钟信号的上升沿触发形成脉冲信号。本发明的好处是采用四相位的分频时钟来分别通过上升沿触发的脉冲来产生数据,从而避免时钟占空比对DRAM数据眼的影响,达到提升DRAM数据眼的质量。

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