半导体装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201880005380.4
IPC分类号：--
申请日期：
2018-06-07
申请人：
富士电机株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法
申请号	CN201880005380.4	申请日期	2018-06-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-09	公开/公告号	CN110114861A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	富士电机株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士电机株式会社	当前权利人	富士电机株式会社
发明人	吉村尚;泷下博;宫原清一
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	张欣;金玉兰

摘要

用抗蚀保护膜(22)保护表面电极(7)和聚酰亚胺保护膜(8)的表面。接着，在将BG胶带(23)贴附于抗蚀保护膜(22)的状态下对半导体基板(10)进行背面磨削而减薄到产品厚度(t)。接下来，在剥离BG胶带(23)之后，在半导体基板(10)的磨削后的背面的表面层形成预定的扩散区。接下来，以100℃以上的温度将抗蚀保护膜(22)加热，使抗蚀保护膜(22)中的水蒸发。接下来，从半导体基板(10)的背面照射激光(25)，进行半导体基板(10)的背面侧的扩散区的杂质活化。接着，除去半导体基板(10)的正面的抗蚀保护膜(22')。这样，在对半导体晶片的一个主面进行用于杂质活化的热处理时，能够抑制保护半导体晶片的另一个主面的抗蚀保护膜(22')的变质和/或剥落、变形。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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