相位移光掩模的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611014864.4
IPC分类号：G03F1/26
申请日期：
2016-11-18
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	相位移光掩模的形成方法
申请号	CN201611014864.4	申请日期	2016-11-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-25	公开/公告号	CN108073032A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/26 相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;2;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈俊郎;涂志强;杨世豪
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	马雯雯;臧建明

摘要

本发明实施例提供一种相位移光掩模的形成方法。此方法包括：在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层、促进层以及掩模层。图案化掩模层，以形成图案化掩模层。以图案化掩模层为掩模，对促进层以及遮蔽层进行蚀刻，以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层。同时移除图案化掩模层以及图案化促进层。以第一图案化遮蔽层为掩模，对相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层。选择性移除第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。从而能简化工艺，并同时使其所形成的相位移光掩模具有良好的分辨率。

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