多区等离子体生成的方法和设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201180067134.X
IPC分类号：H05H1/34;H01L21/3065
申请日期：
2011-07-27
申请人：
应用材料公司

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专利名称	多区等离子体生成的方法和设备
申请号	CN201180067134.X	申请日期	2011-07-27
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-10-09	公开/公告号	CN103348776A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/24 等离子体的产生〔2〕 H05H1/26 等离子体喷管〔2〕 H05H1/32 应用电弧的（H05H 1/28优先）〔3〕 H05H1/34 零部件，例如电极、喷嘴〔3〕	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5查看分类表>
申请人	应用材料公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料公司	当前权利人	应用材料公司
发明人	马修·斯科特·罗杰斯;华仲强;克里斯托弗·S·奥尔森
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国;赵静

摘要

本发明的实施例提供了一种方法和设备，通过在给定压力下控制等离子体中离子与自由基的比例而对基板进行等离子体处理，以于基板上和置于其上的器件上形成薄膜。可维持给定压力以利用一等离子体源促进离子生成，并可用第二等离子体源来提供其他自由基。在一实施例中，在处理区域中生成低压等离子体，并于单独区域中生成高压等离子体，所述处理区域具有位于其中的基板。来自高压等离子体的自由基被注入到具有低压等离子体的处理区域中，因而在给定操作压力下改变自由基对离子的自然分布。所得到的处理与设备能调适离子与自由基的比例，以更好地控制在高纵横比特征结构上的薄膜形成，并因而提升角区磨圆、侧壁对底部沟槽成长的共形性，及选择性成长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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