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一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810315222.0
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2018-04-10
  • 申请人:
    西南交通大学
著录项信息
专利名称一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法
申请号CN201810315222.0申请日期2018-04-10
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-10-02公开/公告号CN108615810A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人西南交通大学申请人地址
四川省成都市金牛区二环路北一段111号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西南交通大学当前权利人西南交通大学
发明人孙柏;毛双锁;朱守辉;雷鸣;赵勇
代理机构成都虹盛汇泉专利代理有限公司代理人王伟
摘要
本发明公开了一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法,包括以下步骤:S1:以植物的干燥果皮、根、茎或叶中的至少一种为原料,采用分离法获得植物粉末;S2:将步骤S1获得植物粉末溶解于N‑甲基吡咯烷,制成胶体;S3:将步骤S2获得的胶体在导电基片的导电面制成薄膜作为介电层,将带有介电层的导电基片进行干燥处理;S4:经步骤S3处理后,在介电层表面沉积上电极,获得具有上电极/植物粉末/基片结构的忆阻器件,所述忆阻器件为室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高,适合工业化大规模生产,值得在业内推广。

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