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具有增加的掩模层的镶嵌薄膜电阻器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680035273.7
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2016-06-17
  • 申请人:
    密克罗奇普技术公司
著录项信息
专利名称具有增加的掩模层的镶嵌薄膜电阻器
申请号CN201680035273.7申请日期2016-06-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-03-02公开/公告号CN107750390A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人密克罗奇普技术公司申请人地址
美国亚利桑那州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人密克罗奇普技术公司当前权利人密克罗奇普技术公司
发明人Y·J·冷;贾斯丁·希罗奇·萨托
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人沈锦华
摘要
本发明揭示一种用于在完成铜过程模块上的铜化学机械抛光CMP工艺之后制造薄膜电阻器的方法,其包含以下步骤:跨越至少两个结构(90a、90b)沉积电介质势垒层(100);将第二电介质层(110)沉积于所述电介质势垒的顶上作为硬掩模;使用光刻来图案化沟槽;通过所述硬掩模来蚀刻所述沟槽,且在所述电介质势垒中或所述电介质势垒上停止;从光刻工艺移除任何剩余光致抗蚀剂(120a、120b);穿过所述电介质势垒来蚀刻所述沟槽,借此暴露至少两个铜结构中的每一者的铜表面;及将薄膜电阻器材料(120)沉积到所述沟槽中,且跨越所得至少两个暴露铜表面桥接。

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