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C,N-ZnO中空纳米复合材料及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010159425.2
  • IPC分类号:G01N27/12;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2020-03-09
  • 申请人:
    天津理工大学
著录项信息
专利名称C,N-ZnO中空纳米复合材料及其制备方法和应用
申请号CN202010159425.2申请日期2020-03-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-10公开/公告号CN113376219A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/12IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;1;2;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人天津理工大学申请人地址
天津市西青区宾水西道391号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津理工大学当前权利人天津理工大学
发明人别利剑;刘俊毅
代理机构天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李蕊
摘要
本发明公开了一种C,N‑ZnO中空纳米复合材料及其制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:将ZnNO3·6H2O均匀分散在无水甲醇中,搅拌,得到硝酸锌的甲醇溶液;将2‑甲基咪唑与无水甲醇混合,搅拌,得到混有2‑甲基咪唑的甲醇溶液;将混有2‑甲基咪唑的甲醇溶液缓慢滴入硝酸锌的甲醇溶液中,密封,在室温下剧烈搅拌至少24小时,离心,洗涤,干燥,得到金属有机框架ZIF‑8,将金属有机框架ZIF‑8于300~400℃的煅烧温度煅烧即可。该C,N‑ZnO中空纳米复合材料具有较高的比表面积。将C,N‑ZnO中空纳米复合材料作为气敏材料时,在160℃较低的工作温度下表现出优异的气体敏感性能。

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