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等离子体处理装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810003076.4
  • IPC分类号:H01L21/00H01L21/3065C23F4/00H05H1/46H01J37/32
  • 申请日期:
    2008-01-18
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称等离子体处理装置
申请号CN200810003076.4申请日期2008-01-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-08-06公开/公告号CN101236891
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/00IPC分类号H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;H05H1/46;H01J37/32查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人佐佐木和男;南雅人
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供一种等离子体处理装置,在对四边形基板进行等离子体处理的平行平板型等离子体处理装置中,能够进行上部电极的温度控制性良好且稳定的处理。该等离子体处理装置包括:具有用于向基板供给上述处理气体的多个气体供给孔,与上述下部电极相对设置的板状的上部电极;覆盖上部电极,在其与该上部电极之间形成与上述气体供给孔连通的处理气体的扩散空间的上部电极基座;设置在由该上部电极基座的内周面包围的区域内,连接上部电极的上面和上部电极基座的下面的连接部件;和设置于上述上部电极基座,流通对上部电极进行温度调节用的温度调节流体的流体流路。

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