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一种在硅基底刻蚀通孔的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310046733.4
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2013-02-05
  • 申请人:
    中微半导体设备(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种在硅基底刻蚀通孔的方法
申请号CN201310046733.4申请日期2013-02-05
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-08-06公开/公告号CN103972155A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人中微半导体设备(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中微半导体设备(上海)有限公司当前权利人中微半导体设备(上海)有限公司
发明人许颂临
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁
摘要
本发明公开了一种在硅基底刻蚀通孔的方法,所述方法利用光刻胶作为掩膜替代了现有技术中的硬掩膜,避免了多个掩膜层间的图形转移可能会造成关键尺寸的变化,简化了刻蚀工艺,节省了成本,同时为了保证采用光刻胶作为掩膜与硅基底有足够的选择比,本发明采用CO和/或CO2代替易与光刻胶发生反应的氧气为沉积保护层的反应提供氧自由基。维持等离子体刻蚀室内的O2低于5%,以提高了光刻胶掩膜层和硅基底的选择比,同时CO和/或CO2解离出的C自由基等粒子在光刻胶表面形成一层保护层,防止氧自由基与光刻胶发生反应。

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