一种渗硼二氧化钛纳米管阵列的电化学制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810832397.9
IPC分类号：C25D11/26;B82Y40/00
申请日期：
2018-07-26
申请人：
东北大学

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专利名称	一种渗硼二氧化钛纳米管阵列的电化学制备方法
申请号	CN201810832397.9	申请日期	2018-07-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-07	公开/公告号	CN108950647A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D11/26 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D11/00 表面反应，即形成转化层的电解覆层〔2〕 C25D11/02 阳极氧化〔2〕 C25D11/26 难熔金属或以其为基之合金的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;1;1;/;2;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	东北大学	申请人地址	辽宁省沈阳市浑南区创新路195号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东北大学	当前权利人	东北大学
发明人	刘侠和;田昂;李凤华;王梅;李洪旭
代理机构	沈阳优普达知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张志伟

摘要

本发明属于材料实验研究领域，更确切的说，涉及到一种渗硼二氧化钛纳米管的制备电化学实验制备方法。利用阴极预还原与阳极氧化结合技术，在钛金属或者钛合金表面生长出硼掺杂二氧化铁纳米管阵列。与未掺杂硼二氧化铁纳米管阵列相比，本发明腐蚀抗性明显增加，光生载流子浓度提高，实验范围内氧化物阵列掺硼越多性能越显优势。本发明硼均匀掺杂使规则二氧化钛禁带中引入掺杂能级，增加氧化层耐蚀性，降低电子跃迀所需要吸收的光子能量，促进光生电子产生，从而引起可见光的吸收，有良好光催化和灭菌效果，可应用于可见光催化阵解领域与生物灭菌消毒方面。

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