一种容量为1M×32bit的非气密三维封装SRAM存储器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920180109.6
IPC分类号：H01L25/065;H01L23/495
申请日期：
2019-01-31
申请人：
西安微电子技术研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种容量为1M×32bit的非气密三维封装SRAM存储器
申请号	CN201920180109.6	申请日期	2019-01-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/065 包含在H01L 27/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5查看分类表>
申请人	西安微电子技术研究所	申请人地址	陕西省西安市雁塔区太白南路198号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安微电子技术研究所	当前权利人	西安微电子技术研究所
发明人	李晗;余欢
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	徐文权

摘要

本实用新型公开了一种容量为1M×32bit的非气密三维封装SRAM存储器，结构上利用八个芯片作为三维结构堆叠层，将芯片层作为层间互连铜箔叠放层，将芯片与铜箔在高度方向交替堆叠，形成三维立体结构的设计，将八片SRAM芯片的数据线分为两组引出，实现32位数据位宽的扩充；将八片SRAM芯片的选通线分别单独通过引出线引出，通过选通线实现不同芯片与数据位的选择控制；八片SRAM芯片的地址线、电源线、地线、写控制线、字节选通线和输出使能线分别连接后引出，实现了在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了8倍容量和2倍位宽的扩展，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。尤其适合应用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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