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制备单分散硫化镉-二氧化硅核壳结构的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410018589.4
  • IPC分类号:H01L31/0296;H01L31/18
  • 申请日期:
    2004-05-19
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称制备单分散硫化镉-二氧化硅核壳结构的方法
申请号CN200410018589.4申请日期2004-05-19
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-02-16公开/公告号CN1579994
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0296
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IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人杨德仁;谢荣国;李东升;蒋民华
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人韩介梅
摘要
本发明公开的制备单分散硫化镉-二氧化硅核壳结构的方法,采用的是化学水浴沉积法,包括以下步骤:1)将粒径均匀的单分散二氧化硅球用超声振荡分散在去离子水溶液中,加入柠檬酸钠作络和剂,用醇胺作表面活性剂,并用氨水调节pH值至8~13,在50℃~90℃恒温磁力搅拌,然后加入氯化镉和硫脲,反应1~3个小时,得到硫化镉包裹二氧化硅球的核壳结构悬浮液;2)用去离子水和无水乙醇循环清洗,去除反应残余物,烘干,即可。本发明方法成本廉价,过程简单可控,制得的硫化镉-二氧化硅核壳结构粒径均一,无多余硫化镉颗粒和杂凝聚,可以被用作结构基元,制备具有独特光子带隙性能的三维光子晶体。

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