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一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120284016.1
  • IPC分类号:H01L29/36
  • 申请日期:
    2011-08-06
  • 申请人:
    深圳市稳先微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件
申请号CN201120284016.1申请日期2011-08-06
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/36IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人深圳市稳先微电子有限公司申请人地址
广东省深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市稳先微电子有限公司当前权利人深圳市稳先微电子有限公司
发明人王新
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件,包括硅片、二氧化硅氧化层和涂覆层,所述将硅片上表面通过扩散氧化,得到一层能够阻挡杂质源的二氧化硅氧化层;所述二氧化硅氧化层上通过涂覆机涂覆有涂覆层,所述不同掺杂区所需的掺杂浓度不同,调节二氧化硅氧化层的厚度,进而达到精确控制扩散杂质的浓度。本实用新型主要通过在硅片上氧化生成二氧化硅氧化层,控制氧化的厚度精度,达到精确控制扩散杂质的浓度,简化工艺流程,降低生产成本。

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