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一种静电保护用LEMDS_SCR器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710991134.8
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2017-10-23
  • 申请人:
    深圳震有科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种静电保护用LEMDS_SCR器件
申请号CN201710991134.8申请日期2017-10-23
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-04-20公开/公告号CN107946296A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人深圳震有科技股份有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区高新区北环大道9018号大族创新大厦C区3层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳震有科技股份有限公司当前权利人深圳震有科技股份有限公司
发明人张立国;孟庆晓;傅博
代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王永文;刘文求
摘要
本发明公开了一种静电保护用LEMDS_SCR器件,包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区,所述衬底位于所述深埋氧层的上方,所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面,所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区,所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区,所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。本发明通过在P+掺杂区与N+掺杂区下掺杂嵌入的P+注入区,使得N+区域/P+注入区率先发生雪崩击穿,产生的大量非平衡载流子再进一步去触发N漂移区/P+衬底的反向PN结,从而使得寄生SCR加速开启,将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值,从而对内部核心电路的栅氧化层起到有效的保护作用。

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