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基于氟的离子源清洁

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200680053147.0
  • IPC分类号:H01J37/08;H01J37/317
  • 申请日期:
    2006-12-20
  • 申请人:
    艾克塞利斯科技公司
著录项信息
专利名称基于氟的离子源清洁
申请号CN200680053147.0申请日期2006-12-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-03-04公开/公告号CN101379583
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/08IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;0;8;;;H;0;1;J;3;7;/;3;1;7查看分类表>
申请人艾克塞利斯科技公司申请人地址
美国马萨诸塞州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人艾克塞利斯科技公司当前权利人艾克塞利斯科技公司
发明人威廉·雷诺斯;克里斯托弗·雷格登;威廉·狄佛吉利欧;辛·乔伊丝;丹尼尔·堤格
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人王波波
摘要
一种用于从离子源内表面清除沉积的沉积清洁系统,包括:氟源、节流机构、以及控制器。氟源将氟作为清洁材料供至离子源。节流机构通过至少部分覆盖源孔径的方式,减少通过离子源的源孔径的氟损失。控制器控制从氟源到离子源的供氟以及流速,还控制节流机构的定位。

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