层积铁芯及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201280007756.8
IPC分类号：H02K1/18
申请日期：
2012-01-23
申请人：
株式会社三井高科技

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著录项信息

专利名称	层积铁芯及其制造方法
申请号	CN201280007756.8	申请日期	2012-01-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-02	公开/公告号	CN103339828A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02K1/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02K 电机（电动继电器入H01H 53/00；直流或交流电力输入变换为浪涌电力输出入H02M 9/00） H02K1/00 磁路零部件（继电器磁路入H01H 50/16） H02K1/06 以形状、式样或结构为特征的 H02K1/12 磁路的静止零部件的 H02K1/18 用于将若干磁路静止零部件安装或固定到若干定子结构上的装置	IPC分类号	H;0;2;K;1;/;1;8查看分类表>
申请人	株式会社三井高科技	申请人地址	日本福冈变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社三井高科技	当前权利人	株式会社三井高科技
发明人	長井亮;小田仁
代理机构	北京奉思知识产权代理有限公司	代理人	吴立;邹轶鲛

摘要

本发明提供一种层积铁芯及其制造方法，该层积铁芯能够确保其每个铁芯片的层积强度，提供良好的磁效率并降低损耗。层积铁芯(10)包括第一填塞部(14)和第二填塞部(16)，该第一填塞部(14)形成在如下区域中：穿过该区域的磁通密度高压穿过其他区域的磁通密度，该第二填塞部(16)形成在所述其他区域中。在该层积铁芯(10)中，将在层积方向上彼此邻接的分割铁芯片(12)的第一填塞部(14)的凹进子部(14a)与突出子部(14b)的接合面积（A）设定成小于在层积方向上彼此邻接的第二填塞部(16)的凹进子部(16a)与突出子部(16b)的接合面积（B）。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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