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具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110139503.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-02-01
  • 申请人:
    意法半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺
申请号CN202110139503.7申请日期2021-02-01
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-03公开/公告号CN113206154A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人意法半导体股份有限公司申请人地址
意大利阿格拉布里安扎 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人意法半导体股份有限公司当前权利人意法半导体股份有限公司
发明人D·G·帕蒂;M·G·斯库拉蒂;M·莫里利
代理机构北京市金杜律师事务所代理人王茂华
摘要
本公开的实施例涉及具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺。一种竖直传导电子功率器件,包括:主体,由第一表面和第二表面界定并且具有半导体材料的外延层,以及衬底。外延层由主体的第一表面界定,并且衬底由主体的第二表面界定。外延层至少包含第一传导区域和第二传导区域,具有第一掺杂类型,以及多个在外延层内延伸的绝缘栅极区域。衬底具有至少一个硅化物区域,该硅化物区域从主体的第二表面开始朝向外延层延伸。

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