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再现记录在超分辨率信息存储介质上的信息的方法和设备

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200580000173.2
  • IPC分类号:G11B7/005
  • 申请日期:
    2005-01-28
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称再现记录在超分辨率信息存储介质上的信息的方法和设备
申请号CN200580000173.2申请日期2005-01-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-05-10公开/公告号CN1771540
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B7/005IPC分类号G;1;1;B;7;/;0;0;5查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人金朱镐;黄仁吾;金铉基;尹斗燮
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人韩明星;李云霞
摘要
本发明提供了一种用于通过积极地检测根据超分辨率信息存储介质(SRISM)的反射率而变化的阈域,使用实际上适于再现的适当实际再现功率来再现记录在SRISM中的信息的方法和设备。从SRISM再现信息的方法包括:将光束发射到SRISM上,同时改变激光光束的再现功率,接收被SRISM反射的光束,并从接收的光束检测再现信号电平的变化;基于再现信号电平的变化,计算再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率;和基于参考再现功率设置实际再现功率。用于从SRISM再现信息的设备包括光学拾取单元和信号处理单元。该光学拾取单元包括光源和光电检测器,其中光源将具有一定范围的功率的光束发射到SRISM上,光电检测器接收从SRISM反射的光束,并从接收的光束检测再现信号;该信号处理单元根据被光源发射到SRISM上的光束的再现功率的变化来检测再现信号电平的变化,并基于再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率设置从光源发射的光束的实际再现功率。

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