一种平整半导体晶片表面的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03150267.9
IPC分类号：--
申请日期：
2003-07-23
申请人：
第一晶圆制造（马来西亚）股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种平整半导体晶片表面的方法
申请号	CN03150267.9	申请日期	2003-07-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-04-21	公开/公告号	CN1490848
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	第一晶圆制造（马来西亚）股份有限公司	申请人地址	马来西亚沙捞越变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	第一晶圆制造（马来西亚）股份有限公司	当前权利人	第一晶圆制造（马来西亚）股份有限公司
发明人	白载学
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	王琦;宋志强

摘要

一种平整半导体晶片的方法，包括首先在不规则晶片表面涂敷一层光刻胶，以平坦地涂敷在晶片的不理想外形上，以便提供基本上平坦的光刻胶层顶面，其次，以基本上相同的速率蚀刻光刻胶和介质层。光刻胶的可流动性确保光刻胶均匀遍布在不规则表面上，以获得基本上平坦的顶面。较佳地还可以进一步蚀刻介质层直到该层的厚度合乎后续制造的需要。在一个实施例中，蚀刻剂可以包括氧化物、多晶硅、金属、光刻胶以及聚酰亚胺蚀刻剂的任意一种或它们的组合。可以使用氧化物蚀刻剂蚀刻介质材料，同时可以使用多晶硅和金属蚀刻剂蚀刻由导电结构或材料组成的层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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